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美光公司于7月26日宣布，其HBM3 Gen 2内存已开始向客户提供样品。据美光公司介绍，这款内存是目前全球速度最快的，具有1.2 TB/s的聚合带宽，8高堆叠容量为24GB。未来还将推出12高堆叠版本，容量可达36GB。相较于该公司上一代HBM2E，新款内存的每瓦性能提升了2.5倍，被誉为最节能的内存。 据悉，美光是全球首家提供第二代HBM3内存样品的公司，领先于SK海力士和三星等竞争对手。在命名上，美光的HMB3 Gen 2内存并未按照之前的命名约定命名为“HBM3E”，而是采用了“Gen2”，以代表性能、容量和能效方面的代际飞跃。 美光还公布了最新的内存路线图，其中标注了“HBMNext”内存，预计将于2026年左右推出，容量可达36-64GB，可提供2+ TB/s带宽。 美光的全新HBM3 Gen 2内存采用八个堆叠芯片（8高），与其他8高HBM3内存相比，容量增加了50%。此外，新型内存也适用于与标准HBM3相同的11mmx11mm封装，与现有HBM3引脚兼容，更换内存也相对容易。美光HBM3 Gen 2内存8高堆栈的带宽提高了50%，每个引脚的传输速度为9.2 Gbps，1024bit位宽即可达到1.2 TB/s的带宽。